MT53E1G32D2FW-046 WT:B vs WT:A तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT53E1G32D2FW-046 WT:B द्वारा Micron Technology और WT:A द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT53E1G32D2FW-046 WT:B - 32Gb LPDDR4 SDRAM | Micron
MT53E1G32D2FW-046 WT:B ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT53E1G32D2FW-046 WT:B | WT:A |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | In Stock | — |
| यूनिट मूल्य (USD) | $98.44 | — |
| मेमोरी प्रकार | Volatile, Mobile LPDDR4 SDRAM (LPDRAM) | Mobile LPDDR4 SDRAM |
| Memory Capacity | 32 Gbit (4 GB) | — |
| संगठन | 1G x 32 | 1536M x 32 |
| Interface / Bus Width | Parallel, 32-bit | — |
| Clock Frequency (max) | 2.133 GHz (2133 MHz) | — |
| Data Rate (per pin) | 4266 MT/s | — |
| Clock Access Time (tCK) | 3.5 ns | — |
| Speed Bin | -046 | — |
| Supply Voltage VDD2 | 1.1 V | 1.1 V (typ, JEDEC LPDDR4) |
| Supply Voltage VDDQ | 1.1 V (LPDDR4X) / 1.8 V (LPDDR4) | 1.1 V (typ, JEDEC LPDDR4) |
| पैकेज | 200-ball TFBGA (10 mm x 14.5 mm) | 200-ball TFBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | -25C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature grade] |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Configuration | Dual-Die Package (DDP) | — |
| On-Die Features | Auto precharge, Data mask, ZQ calibration, Write leveling, Built-in temperature sensor, Asynchronous reset | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Density | — | 48 Gbit (6 GB) |
| Maximum Data Rate | — | 2.133 GHz |
| Speed Bin Suffix | — | -046 (2133 MHz) |
| Supply Voltage VDD1 | — | 1.8 V (typ, JEDEC LPDDR4) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| इंटरफ़ेस | — | LPDDR4 command/address + 32-bit DQ |
| JEDEC Standard | — | JESD209-4 (LPDDR4) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh per JEDEC |